Invention Publication
- Patent Title: 半导体激光器装置以及其制造方法
- Patent Title (English): Semiconductor laser apparatus and method for manufacturing same
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Application No.: CN201380004402.2Application Date: 2013-03-05
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Publication No.: CN104040809APublication Date: 2014-09-10
- Inventor: 吉田隆幸 , 上田直人 , 大森弘治 , 本藤拓磨 , 笠井辉明
- Applicant: 松下电器产业株式会社
- Applicant Address: 日本大阪府
- Assignee: 松下电器产业株式会社
- Current Assignee: 松下知识产权经营株式会社
- Current Assignee Address: 日本大阪府
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 薛凯
- Priority: 2012-086119 2012.04.05 JP
- International Application: PCT/JP2013/001348 2013.03.05
- International Announcement: WO2013/150715 JA 2013.10.10
- Date entered country: 2014-06-20
- Main IPC: H01S5/022
- IPC: H01S5/022

Abstract:
本发明的半导体激光器装置具有:导电性的散热部件、导电性的第1粘合剂、和半导体激光器元件。第1粘合剂设于散热部件之上,半导体激光器元件设于第1粘合剂之上。第1粘合剂在半导体激光器元件的射出激光的发射器端面部之下到达散热部件的侧面上。由此,能进一步提升半导体激光器元件的散热性,并能效率良好地取出来自半导体激光器元件的激光。
Public/Granted literature
- CN104040809B 半导体激光器装置以及其制造方法 Public/Granted day:2017-03-22
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