Invention Grant
- Patent Title: 用于空穴注入和传输层的经改善的掺杂方法
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Application No.: CN201280057616.1Application Date: 2012-10-03
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Publication No.: CN103959392BPublication Date: 2016-12-07
- Inventor: 文卡塔拉曼南·塞沙德里 , 尼特·乔普拉
- Applicant: 索尔维美国有限公司
- Applicant Address: 美国新泽西州
- Assignee: 索尔维美国有限公司
- Current Assignee: 日产化学工业株式会社
- Current Assignee Address: 美国新泽西州
- Agency: 隆天知识产权代理有限公司
- Agent 张福根; 吴小瑛
- Priority: 61/542,868 2011.10.04 US 61/655,419 2012.06.04 US
- International Application: PCT/US2012/000443 2012.10.03
- International Announcement: WO2013/052096 EN 2013.04.11
- Date entered country: 2014-05-23
- Main IPC: H01B1/12
- IPC: H01B1/12 ; H05B33/10 ; H05B33/18 ; H01L51/00

Abstract:
一种方法,包括在第一溶剂体系中将中性形式的至少一种第一化合物与至少一种离子掺杂剂反应,以提供第一掺杂反应产物;分离固体形式的第一掺杂反应产物;以及在第二溶剂体系中将分离的第一掺杂反应产物与中性形式的至少一种共轭聚合物结合,以形成包含共轭聚合物的氧化形式和第一化合物的中性形式的第二掺杂反应产物。优点包括更好的稳定性、便于使用、更低的金属含量。应用包括有机电子器件,包括OLED。
Public/Granted literature
- CN103959392A 用于空穴注入和传输层的经改善的掺杂方法 Public/Granted day:2014-07-30
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