• 专利标题: 基于基片集成波导圆形谐振腔的材料复介电常数测量方法
  • 专利标题(英): Method for measuring material complex permittivity based on substrate integrated waveguide round resonant cavities
  • 申请号: CN201410122761.4
    申请日: 2014-03-28
  • 公开(公告)号: CN103901278A
    公开(公告)日: 2014-07-02
  • 发明人: 程钰间夏支仙黄伟娜钟熠辰樊勇
  • 申请人: 电子科技大学
  • 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
  • 专利权人: 电子科技大学
  • 当前专利权人: 电子科技大学
  • 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
  • 代理机构: 成都宏顺专利代理事务所
  • 代理商 李顺德; 王睿
  • 主分类号: G01R27/26
  • IPC分类号: G01R27/26
基于基片集成波导圆形谐振腔的材料复介电常数测量方法
摘要:
基于基片集成波导圆形谐振腔的材料复介电常数测量方法,涉及材料复介电常数测试技术领域。首先加工具有不同谐振频率(工作频率)的基片集成波导圆形谐振腔,然后针对同一谐振频率的基片集成波导圆形谐振腔,分别加载一个与介质层2材料相同的样品,一个复介电常数已知的标准样品和待测样品,利用矢量网络分析仪分别馈入扫频信号,测试三个样品的谐振频率和品质因素,最后联立方程求解,即可得到待测样品在所述基片集成波导圆形谐振腔工作频率下的复介电常数。换用别的工作频率的基片集成波导圆形谐振腔,重复同样的测试过程,即可完成材料复介电常数的多频点测试。本发明具有谐振腔体积小、加工方便的,测量结果精度高。
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