发明授权
CN103872139B 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
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申请号： CN201410062722.X申请日： 2014-02-24
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公开(公告)号： CN103872139B公开(公告)日： 2016-09-07
- 发明人: 张金中
- 申请人： 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址： 北京市经济技术开发区西环中路8号
- 专利权人： 北京京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人： 北京京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市经济技术开发区西环中路8号
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 彭瑞欣; 陈源
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L29/10 ; H01L21/34 ; H01L27/12
摘要：
本发明提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管的有源层包括交替层叠设置的多层有源半导体子层和的多层绝缘隔离子层，所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述多层有源半导体子层导电连接。相应地，本发明还提供一种薄膜晶体管的制作方法，以及一种阵列基板和显示装置。本发明能够有效地增加薄膜晶体管中有源层的沟道电流，能够弥补有源层载流子迁移率较低导致的沟道电流较小的问题。
公开/授权文献
- CN103872139A 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 公开/授权日：2014-06-18
IPC分类:
