本发明提供一种GaN量子阱结构的生长方法，其GaN量子阱结构自下而上依次为衬底、低温氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、阶段式量子阱层、P型氮化镓层和P型接触层，所述生长方法包括如下步骤：在高纯氮气的条件下，净化衬底，然后依次在净化后的衬底上生长高温氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、阶段式量子阱层、P型铝镓氮层和P型接触层，本发明在阱处对TMIn进行掺杂，分别在不同的压力、流量、转速、温度、Ⅴ/Ⅲ摩尔比的生长环境下，进行量子阱结构的生长，在最后的阱处发生复合发光，从而解决目前绿光GaN的量子阱复合不顺利的情况，为提高亮度提供了保障，亮度提升明显。