Invention Grant
- Patent Title: 卤代苝基半导体材料
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Application No.: CN201280022657.7Application Date: 2012-04-27
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Publication No.: CN103732720BPublication Date: 2016-02-17
- Inventor: H·赖歇尔特 , T·格斯纳 , 李晨 , K·米伦 , G·巴塔格利亚林
- Applicant: 巴斯夫欧洲公司 , 马克思—普朗克科学促进协会公司
- Applicant Address: 德国路德维希港
- Assignee: 巴斯夫欧洲公司,马克思—普朗克科学促进协会公司
- Current Assignee: CLAP 有限公司,马克思—普朗克科学促进协会公司
- Current Assignee Address: 德国路德维希港
- Agency: 北京市中咨律师事务所
- Agent 刘金辉; 林柏楠
- Priority: 11165667.4 2011.05.11 EP; 11168255.5 2011.05.31 EP; 61/484,687 2011.05.11 US; 61/491,348 2011.05.31 US
- International Application: PCT/EP2012/057729 2012.04.27
- International Announcement: WO2012/152598 EN 2012.11.15
- Date entered country: 2013-11-11
- Main IPC: C09K11/06
- IPC: C09K11/06 ; C07C211/61
Abstract:
本发明提供了式(1)化合物，其中X为-Cl、-Br或-I。式(1)化合物适合用作半导体材料，尤其是在电子器件中用作半导体材料。
Public/Granted literature
- CN103732720A 卤代苝基半导体材料 Public/Granted day:2014-04-16
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