光电转换元件、X射线平板探测装置及其制作方法
摘要:
本发明公开一种光电转换元件、X射线平板探测装置及其制作方法,该光电转换元件包括光电转换层,包括成堆叠结构的第一半导体层,第二半导体层和第三半导体层;第一半导体层位于底电极上;第二半导体层覆盖所述第一半导体层;第三半导体层覆盖所述第二半导体层;第三半导体层包覆第二半导体层的侧面,形成光电转换层的侧表面。本发明所提供的光电转换元件的第二半导体层的侧表面被第三半导体层包覆,第三半导体层成为光电转换元件的侧墙,将开口设置于朝向钝化层的方向上,大大减少杂质进入开口的可能性,同时,该结构开口处不会受刻蚀等工艺影响,避免了常规结构中由于刻蚀在侧表面产生界面态,减小了漏电流,提高了探测的灵敏度和准确性。
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