Invention Grant
- Patent Title: 半导体存储装置
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Application No.: CN201280030947.6Application Date: 2012-09-05
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Publication No.: CN103620687BPublication Date: 2017-02-15
- Inventor: 山上由展 , 小岛诚 , 里见胜治
- Applicant: 株式会社索思未来
- Applicant Address: 日本神奈川县
- Assignee: 株式会社索思未来
- Current Assignee: 株式会社索思未来
- Current Assignee Address: 日本神奈川县
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 李逸雪
- Priority: 2011-269305 2011.12.08 JP
- International Application: PCT/JP2012/005632 2012.09.05
- International Announcement: WO2013/084385 JA 2013.06.13
- Date entered country: 2013-12-23
- Main IPC: G11C11/413
- IPC: G11C11/413
Abstract:
由串联在第一电源和第二电源之间的第一P型MOS晶体管(MP1)和第二P型MOS晶体管(MP2)构成每一列上的存储单元电源电路(20)，存储单元电源输出第一P型MOS晶体管(MP1)和第二P型MOS晶体管(MP2)的接点电压。基于列选择信号和写入控制信号生成的控制信号输入第一P型MOS晶体管(MP1)的栅极端子，输入第一P型MOS晶体管(MP1)的栅极端子的信号的反相信号输入第二P型MOS晶体管(MP2)的栅极端子。
Public/Granted literature
- CN103620687A 半导体存储装置 Public/Granted day:2014-03-05
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IPC分类:
