发明公开
CN103620087A 一种用于制备半导体膜的化学浴沉积设备
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种用于制备半导体膜的化学浴沉积设备
- 专利标题(英): A chemical bath deposition apparatus for fabrication of semiconductor films
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申请号: CN201280031536.9申请日: 2012-06-28
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公开(公告)号: CN103620087A公开(公告)日: 2014-03-05
- 发明人: 王家雄
- 申请人: 王家雄
- 申请人地址: 美国加州
- 专利权人: 王家雄
- 当前专利权人: 王家雄
- 当前专利权人地址: 美国加州
- 代理机构: 北京超凡志成知识产权代理事务所
- 代理商 吴开磊
- 优先权: 13/172,826 2011.06.30 US
- 国际申请: PCT/US2012/044488 2012.06.28
- 国际公布: WO2013/003511 EN 2013.01.03
- 进入国家日期: 2013-12-26
- 主分类号: C23C18/12
- IPC分类号: C23C18/12 ; H01L31/18 ; B05C1/00
摘要:
本发明提供了用于在平面衬底上制备薄膜的化学浴沉积方法和设备。具体地,它们对于沉积硫化镉或硫化锌以制造薄膜太阳能电池是尤其有用的。本方法及其沉积系统将薄膜沉积于由传送带所传送的垂直行进的平面衬底上。通过连续地喷淋从新鲜混合类型到逐渐老化形式的反应溶液直至获得预期厚度,而沉积薄膜。衬底和溶液均被加热到一反应温度。在沉积过程中,衬底的前表面完全被喷淋的溶液所覆盖,但衬底背面保持干燥。在反应器内部的反应环境可与外部环境隔绝。该设备被设计以产生最少量的需经化学处理的废液。
公开/授权文献
- CN103620087B 一种用于制备半导体膜的化学浴沉积方法及其反应器 公开/授权日:2015-07-29
IPC分类: