发明授权
- 专利标题: 一种厚度一致的氧化膜形成技术
-
申请号: CN201210278802.X申请日: 2012-08-07
-
公开(公告)号: CN103572350B公开(公告)日: 2016-05-18
- 发明人: 吕林兴 , 刘健 , 李露 , 黄奎 , 熊远根
- 申请人: 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司
- 申请人地址: 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段232号
- 专利权人: 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司
- 当前专利权人: 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司
- 当前专利权人地址: 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段232号
- 代理机构: 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理商 王朋飞
- 主分类号: C25D11/26
- IPC分类号: C25D11/26
摘要:
本发明公开了一种厚度一致的氧化膜形成技术,包括:(1)将经过烧结的钽阳极块均匀地点焊在导电金属条上;(2)将安放好导电金属条的支架放入电解槽中;(3)用导线制作一个“王”字形导线框;(4)将“王”字导线框重叠放置在支架上并与点焊有钽阳极块的金属条紧密接触;(5)将电源正极接到“王”字导线框的中心位置,电源负极与电解槽连接;(6)接通电源后进行介质膜形成处理。本发明的有益效果是:利用导线制作导线框,有效减小了电源输出端到阀金属阳极坯块之间的压差,保证了施加在阳极坯块上的电压,同时,从“王”字形导线框中心轴的接线端施加电流,使电流通向各方的路径相同,电场强度均匀,保证了生成氧化膜的厚度一致性。
公开/授权文献
- CN103572350A 一种厚度一致的氧化膜形成技术 公开/授权日:2014-02-12