- 专利标题: 半导体设备、制造半导体设备的方法和照相机
- 专利标题(英): Semiconductor device, method of manufacturing the same, and camera
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申请号: CN201310280236.0申请日: 2013-07-05
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公开(公告)号: CN103531488A公开(公告)日: 2014-01-22
- 发明人: 都筑幸司 , 栗原康
- 申请人: 佳能株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 佳能株式会社
- 当前专利权人: 佳能株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 李晓芳
- 优先权: 2012-153020 2012.07.06 JP
- 主分类号: H01L21/50
- IPC分类号: H01L21/50 ; H01L23/10
摘要:
本发明涉及一种半导体设备、制造半导体设备的方法和照相机。该半导体设备包括具有芯片安装区域和包围芯片安装区域的周边区域的第一构件、安装在芯片安装区域中的半导体芯片、以及固定到第一构件以覆盖半导体芯片的第二构件,所述制造半导体设备的方法包括:使用粘合剂将处于半导体芯片被安装在芯片安装区域中的状态下的第一构件的周边区域粘合到第二构件;以及在粘合剂开始固化后,在第一构件和第二构件之间产生应力,以在第一构件和粘合剂之间的部分以及第二构件和粘合剂之间的部分中的至少一个部分中局部形成间隙。
公开/授权文献
- CN103531488B 半导体设备、制造半导体设备的方法和照相机 公开/授权日:2016-05-18
IPC分类: