- 专利标题: 在发射TX层具有用于互电容的非活性电极的传感器图案
- 专利标题(英): Sensor pattern used for non-active electrode of mutual capacitor and arranged on transmitting TX layer
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申请号: CN201310248769.0申请日: 2013-06-21
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公开(公告)号: CN103513848A公开(公告)日: 2014-01-15
- 发明人: 欧勒山德·霍斯塔纳
- 申请人: 赛普拉斯半导体公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 赛普拉斯半导体公司
- 当前专利权人: 谱瑞科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京安信方达知识产权代理有限公司
- 代理商 周靖; 郑霞
- 优先权: 61/662,525 2012.06.21 US; 13/693,927 2012.12.04 US
- 主分类号: G06F3/044
- IPC分类号: G06F3/044
摘要:
公开了在发射TX层具有用于互电容的非活性电极的传感器图案。一种使用设置在发射(TX)电极之间或内部并关于接收(RX)电极对齐的非活性电极均衡感应阵列的互电容的装置和方法。
公开/授权文献
- CN103513848B 在发射 TX 层具有用于互电容的非活性电极的传感器图案 公开/授权日:2018-04-10