发明授权
- 专利标题: 基于冷阴极产生径向电子束的无箔二极管
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申请号: CN201310448380.0申请日: 2013-09-27
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公开(公告)号: CN103489745B公开(公告)日: 2016-02-10
- 发明人: 刘庆想 , 李相强 , 孔龙 , 王庆峰 , 张政权
- 申请人: 西南交通大学
- 申请人地址: 四川省成都市金牛区二环路北一段
- 专利权人: 西南交通大学
- 当前专利权人: 西南交通大学,刘庆想,李相强,孔龙,王庆峰,张政权
- 当前专利权人地址: 四川省成都市金牛区二环路北一段
- 代理机构: 成都顶峰专利事务所
- 代理商 杨军
- 主分类号: H01J61/02
- IPC分类号: H01J61/02 ; H01J61/04
摘要:
本发明公开了一种基于冷阴极产生径向电子束的无箔二极管,主要解决了现有技术中存在的产生电子束的实现难度较大、束流密度较高,所需外加引导磁场强度较高,不能满足技术发展需求的问题。其包括由圆柱导体构成的阴极支撑杆(1),一侧下方与阴极支撑杆(1)相连、由圆盘导体构成的发射盘,位于发射盘正上方的径向传输线(4),分别连接于径向传输线(4)与发射盘距离最近一端两侧的第一阳极壁(2)和第二阳极壁(8),位于发射盘外侧、一端与第一阳极壁(2)或第二阳极壁(8)连接径向传输线(4)一端相对的另一端相连的第三阳极壁(9)。通过上述方案,本发明达到了易于实施,符合技术发展需求的目的。
公开/授权文献
- CN103489745A 基于冷阴极产生径向电子束的无箔二极管 公开/授权日:2014-01-01