- 专利标题: 半中空双连续H2V3O8/石墨烯管中线结构同轴纳米线材料及其制备方法和应用
- 专利标题(英): Semi-hollow bicontinuous line-structure coaxial nanowire material in H2V3O8/graphene tube, as well as preparation method and application of material
-
申请号: CN201310434930.3申请日: 2013-09-23
-
公开(公告)号: CN103474629B公开(公告)日: 2015-07-22
- 发明人: 麦立强 , 韩春华 , 马鑫萸 , 晏梦雨
- 申请人: 武汉理工大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 专利权人: 武汉理工大学
- 当前专利权人: 安徽国芯新材料有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 代理机构: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理商 崔友明
- 主分类号: H01M4/36
- IPC分类号: H01M4/36 ; H01M4/583 ; H01M4/48 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明涉及半中空双连续H2V3O8/石墨烯管中线结构同轴纳米线材料及其制备方法,由石墨烯自卷曲包覆H2V3O8纳米线形成,石墨烯自卷曲形成的石墨烯卷与H2V3O8纳米线之间存在间隙,其中H2V3O8纳米线直径为20-80nm。该纳米材料可作为锂离子电池正极活性材料。本发明具有工艺简单、成本低等优点,由电极材料组装的电池具有循环稳定性好、在大电流下电化学性能优异等特点。
公开/授权文献
- CN103474629A 半中空双连续H2V3O8/石墨烯管中线结构同轴纳米线材料及其制备方法和应用 公开/授权日:2013-12-25