本发明公开了一种TiO2/SnO2复合纳米棒电阻开关的制备方法，包括以下步骤：1）通过水热法在导电基片上直接生长TiO2/SnO2复合纳米棒阵列；2）将步骤1）得到的生长有TiO2/SnO2复合纳米棒阵列的导电基片在200～800℃下退火1～5小时，得到TiO2/SnO2复合纳米棒电阻开关。本发明制备的TiO2/SnO2复合纳米棒阵列结构的电阻开关能够实现较好的室温电阻开关特性，并且在低温下有更大的电阻开关效应，而且循环稳定性良好，能够用于制备电阻开关式非挥发性存储器的原始模型。