Invention Grant
- Patent Title: 线型离子束缚装置及其阵列结构
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Application No.: CN201210090725.5Application Date: 2012-03-30
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Publication No.: CN103367093BPublication Date: 2016-12-21
- Inventor: 蒋公羽 , 孙文剑
- Applicant: 岛津分析技术研发(上海)有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区上海市浦东张江高科卡园二路108号6幢3层
- Assignee: 岛津分析技术研发(上海)有限公司
- Current Assignee: 岛津分析技术研发(上海)有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区上海市浦东张江高科卡园二路108号6幢3层
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 骆希聪
- Main IPC: H01J49/42
- IPC: H01J49/42 ; H01J49/02 ; G01N27/62

Abstract:
本发明提出一种线型离子束缚装置及其阵列结构。该线型离子束缚装置包含沿该线型离子束缚装置的中轴线两侧相对设置的一对沿轴向伸展的主射频电极,每一个主射频电极在垂直于该中轴线的各截平面上的截面图形,都对通过该中轴线的一主对称平面保持对称,其中该对主射频电极上附加的射频电压相位相同。在至少一个主射频电极上设有离子引出槽。并且在该对主射频电极两侧设置至少一对辅助电极,这些辅助电极对偶于该主对称平面放置。其中至少一个辅助电极具有有限个对称平面,且各对称平面与该对主射频电极的对称平面之间存在一大于0度并小于90度的最小夹角。通过这种方式,离子束缚装置内的离子束缚射频电场的四极场成分可以得到加强。
Public/Granted literature
- CN103367093A 线型离子束缚装置及其阵列结构 Public/Granted day:2013-10-23
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