一种SRAM存储单元失配晶体管检测方法，包括如下步骤：a)、使能第二字线WLB，禁能第一字线WLA；b)、判断数字信息为0或1，若为0，则选择执行步骤c1)，若为1，则选择执行步骤c2)；c1)、在第一量测端()量测第一N型晶体管(PD1)电压电流曲线，在第二量测端(BLM)量测第二P型晶体管(PU2)电压电流曲线；c2)、在第一量测端()量测第一P型晶体管(PU1)电压电流曲线，在第二量测端(BLM)量测第二N型晶体管(PD2)电压电流曲线；d)、根据步骤c1)或步骤c2)得到的电压电流曲线确定失配晶体管。其可快速、方便地确定SRAM存储单元中引起失配的晶体管。