Invention Grant
- Patent Title: 半导体封装件及其形成方法
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Application No.: CN201310073377.5Application Date: 2013-03-07
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Publication No.: CN103311222BPublication Date: 2016-08-31
- Inventor: 霍斯特·托伊斯
- Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
- Applicant Address: 德国瑙伊比贝尔格市
- Assignee: 英飞凌科技股份有限公司
- Current Assignee: 英飞凌科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 德国瑙伊比贝尔格市
- Agency: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- Agent 李静; 王素贞
- Priority: 13/415,356 2012.03.08 US
- Main IPC: H01L23/538
- IPC: H01L23/538 ; H01L21/768

Abstract:
本发明公开了一种半导体封装件及其形成方法。在一个实施例中,一种半导体封装件的形成方法包括将具有贯通开口的薄膜层施加在载体上,并将半导体芯片的背面附接于所述薄膜层。半导体芯片的正面上具有触头。所述方法包括利用第一公共沉积和图案化步骤来在开口中形成导电材料。所述导电材料接触所述半导体芯片的触头。通过利用第二公共沉积和图案化步骤将半导体芯片、薄膜层、以及导电材料封装在封装剂中来形成重新配置的晶圆。将该重新配置的晶圆进行分离以形成多个封装件。
Public/Granted literature
- CN103311222A 半导体封装件及其形成方法 Public/Granted day:2013-09-18
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IPC分类: