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发明公开
CN103261915A 使用微结构化的中子探测器的中子孔隙度测井工具 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 使用微结构化的中子探测器的中子孔隙度测井工具
  • 专利标题（英）： Neutron porosity logging tool using microstructured neutron detectors
  • 申请号： CN201180057696.6
    申请日： 2011-11-16
  • 公开(公告)号： CN103261915A
    公开(公告)日： 2013-08-21
  • 发明人: H.C.克利门
  • 申请人： 桑德克斯有限公司
  • 申请人地址： 英国汉普郡
  • 专利权人： 桑德克斯有限公司
  • 当前专利权人： 桑德克斯有限公司
  • 当前专利权人地址： 英国汉普郡
  • 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
  • 代理商 徐予红; 李浩
  • 优先权： 12/956560 2010.11.30 US
  • 国际申请： PCT/US2011/060922 2011.11.16
  • 国际公布： WO2012/074747 EN 2012.06.07
  • 进入国家日期： 2013-05-30
  • 主分类号： G01T3/08
  • IPC分类号： G01T3/08 ;  G01V5/10
使用微结构化的中子探测器的中子孔隙度测井工具
摘要：
一种中子孔隙度测量装置使用位于与腔体相距不同距离的半导体探测器，该腔体配置成容纳中子源。这些半导体探测器的每一个包括（i）半导体衬底（110），其掺杂以形成pn结，并且具有形成为从所述半导体衬底内的第一表面延伸的中子反应材料（120）的微结构，以及（ii）电极（160，170），这些电极的其中之一（160）与半导体衬底的第一表面接触以及该电极中的另一个电极（170）与半导体衬底的第二表面接触，第二表面与第一表面相对。这些电极配置成获取半导体衬底内捕获中子时发生的电信号。
摘要（英）：

A neutron porosity measurement device uses semiconductor detectors located at different distances from a cavity configured to accommodate a neutron source. Each of the semiconductor detectors includes (i) a semiconductor substrate (110) doped to form a pn junction, and having microstructures of neutron reactive material (120) formed to extend from a first surface inside the semiconductor substrate, and (ii) electrodes (160, 170), one (160) of which is in contact with the first surface of the semiconductor substrate and another one (170) of which is in contact with a second surface of the semiconductor substrate, the second surface being opposite to the first surface. The electrodes are configured to acquire an electrical signal occurring when a neutron is captured inside the semiconductor substrate.

公开/授权文献
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