• 专利标题: 基于体硅MEMS工艺天线的太赫兹前端集成接收装置
  • 专利标题(英): Terahertz front-end integrated receiving device based on bulk silicon MEMS (micro-electromechanical system) technical antenna
  • 申请号: CN201310116765.7
    申请日: 2013-04-07
  • 公开(公告)号: CN103219587A
    公开(公告)日: 2013-07-24
  • 发明人: 刘埇司黎明卢宏达周凯赵鹏飞朱思衡
  • 申请人: 北京理工大学
  • 申请人地址: 北京市海淀区中关村南大街5号
  • 专利权人: 北京理工大学
  • 当前专利权人: 北京理工大学
  • 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村南大街5号
  • 主分类号: H01Q1/38
  • IPC分类号: H01Q1/38 H01Q1/22 H01Q23/00 B81C1/00
基于体硅MEMS工艺天线的太赫兹前端集成接收装置
摘要:
本发明涉及基于体硅MEMS工艺天线的太赫兹前端集成接收装置,适用于太赫兹低频段,属于太赫兹技术领域。主要包括天线和混频器芯片、基座和背板;天线包括基于体硅MEMS的H面喇叭天线和平面渐变对跖开槽天线(简称ALTSA);混频器芯片为超外差式检测器,包括室温肖特基二极管混频器、超导隧道结混频器、热电子测热电阻混频器;基座外部预留与芯片、中频端等物理配合的位置;背板同样预留与芯片、中频端等物理配合的空间;本发明采用体硅MEMS工艺加工天线,既满足太赫兹器件的加工精度,又便于加工制造、批量生产,易于组阵。采用天线、混频器、偏置电路等集成装配的方法,提高器件微组装的成功率和整体接收装置的集成度,具有体积小、重量轻、成本低的优点。
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