发明公开
CN103219587A 基于体硅MEMS工艺天线的太赫兹前端集成接收装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 基于体硅MEMS工艺天线的太赫兹前端集成接收装置
- 专利标题(英): Terahertz front-end integrated receiving device based on bulk silicon MEMS (micro-electromechanical system) technical antenna
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申请号: CN201310116765.7申请日: 2013-04-07
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公开(公告)号: CN103219587A公开(公告)日: 2013-07-24
- 发明人: 刘埇 , 司黎明 , 卢宏达 , 周凯 , 赵鹏飞 , 朱思衡
- 申请人: 北京理工大学
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村南大街5号
- 专利权人: 北京理工大学
- 当前专利权人: 北京理工大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村南大街5号
- 主分类号: H01Q1/38
- IPC分类号: H01Q1/38 ; H01Q1/22 ; H01Q23/00 ; B81C1/00
摘要:
本发明涉及基于体硅MEMS工艺天线的太赫兹前端集成接收装置,适用于太赫兹低频段,属于太赫兹技术领域。主要包括天线和混频器芯片、基座和背板;天线包括基于体硅MEMS的H面喇叭天线和平面渐变对跖开槽天线(简称ALTSA);混频器芯片为超外差式检测器,包括室温肖特基二极管混频器、超导隧道结混频器、热电子测热电阻混频器;基座外部预留与芯片、中频端等物理配合的位置;背板同样预留与芯片、中频端等物理配合的空间;本发明采用体硅MEMS工艺加工天线,既满足太赫兹器件的加工精度,又便于加工制造、批量生产,易于组阵。采用天线、混频器、偏置电路等集成装配的方法,提高器件微组装的成功率和整体接收装置的集成度,具有体积小、重量轻、成本低的优点。
公开/授权文献
- CN103219587B 基于体硅MEMS工艺天线的太赫兹前端集成接收装置 公开/授权日:2015-06-03