发明授权
- 专利标题： 层叠型半导体存储器件
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申请号： CN201210274234.6申请日： 2012-08-03
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公开(公告)号： CN103165638B公开(公告)日： 2016-12-21
- 发明人: 朴南均
- 申请人： 爱思开海力士有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人： 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京弘权知识产权代理事务所
- 代理商 周晓雨; 郭放
- 优先权： 10-2011-0135698 2011.12.15 KR
- 主分类号： H01L27/24
- IPC分类号： H01L27/24 ; H01L45/00
摘要：
本发明公开了一种层叠型存储器件，所述层叠型存储器件包括：半导体衬底；多个位线，所述多个位线被布置并层叠在所述半导体衬底上；多个字线，所述多个字线形成在所述多个位线上；多个互连单元，所述多个互连单元中的每个从相应的字线向所述多个位线中的相应的一个延伸；以及多个存储器单元，所述多个存储器单元分别连接在所述多个位线与从所述多个字线延伸的互连单元之间。
公开/授权文献
- CN103165638A 层叠型半导体存储器件 公开/授权日：2013-06-19
IPC分类:
