发明授权
- 专利标题: 基板的等离子体处理方法
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申请号: CN201180048666.9申请日: 2011-09-29
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公开(公告)号: CN103155117B公开(公告)日: 2015-08-26
- 发明人: 置田尚吾 , 古川良太 , 稻本吉将 , 水上达弘
- 申请人: 松下电器产业株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人: 松下知识产权经营株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 汪惠民
- 优先权: 2010-228621 2010.10.08 JP; 2011-014335 2011.01.26 JP
- 国际申请: PCT/JP2011/005501 2011.09.29
- 国际公布: WO2012/046418 JA 2012.04.12
- 进入国家日期: 2013-04-08
- 主分类号: H01L21/3065
- IPC分类号: H01L21/3065 ; H01L21/683
摘要:
本发明提供一种基板的等离子体处理方法。通过实施如下工序而在等离子体处理中去除基板的缘部以及托盘所附着的副生成物以提高产品的品质,这些工序为:基板载置工序,将设置有收容基板的多个基板收容孔、且具有从各个基板收容孔的内壁突出的基板支撑部的托盘载置于基板台的托盘支撑部上,并且将基板载置于各个基板保持部上,由此成为使从基板保持部的端缘伸出的基板的缘部和基板支撑部分离的状态;第一等离子体处理工序,使腔室内减压并且供给处理气体,来进行对各个基板的等离子体处理;第二等离子体处理工序,在托盘以及各个基板被载置于基板台上的状态下,使腔室内减压并且供给处理气体来实施等离子体处理,通过第一等离子体处理工序的实施来去除在基板的缘部与基板支撑部所附着的副生成物。
公开/授权文献
- CN103155117A 基板的等离子体处理方法 公开/授权日:2013-06-12
IPC分类: