- 专利标题: 用于电阻抗断层成像的传感器装置、电阻抗断层成像装置和电阻抗断层成像方法
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申请号: CN201180048483.7申请日: 2011-10-04
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公开(公告)号: CN103153180B公开(公告)日: 2015-07-29
- 发明人: 约瑟夫克斯·X·布伦纳 , 帕斯卡尔·奥利维尔·加格罗 , 尼古拉斯·罗比塔耶
- 申请人: 斯威斯托姆公开股份有限公司
- 申请人地址: 瑞士兰德夸特
- 专利权人: 斯威斯托姆公开股份有限公司
- 当前专利权人: 斯威斯托姆公开股份有限公司
- 当前专利权人地址: 瑞士兰德夸特
- 代理机构: 上海智信专利代理有限公司
- 代理商 王洁
- 优先权: 1638/10 2010.10.07 CH
- 国际申请: PCT/CH2011/000236 2011.10.04
- 国际公布: WO2012/045188 EN 2012.04.12
- 进入国家日期: 2013-04-07
- 主分类号: A61B5/053
- IPC分类号: A61B5/053 ; A61B5/08
摘要:
一种用于EIT成像的传感器装置,包括用于测量阻抗分布的电极阵列,其特征在于,用于确定测试者的空间方向的至少一个传感器连接至电极阵列。一种EIT成像装置,可连接到用于确定测试者的空间方向的传感器,并可选地可连接到用于采集电和/或声活动信息的传感器和/或用于采集扩张信息的传感器,其特征在于,连接或集成计算装置用于基于空间数据调整阻抗数据,其中空间数据描述测试对象的空间方向。一种用于测量阻抗分布和调整所述的测量的阻抗分布的EIT成像方法,包括下列步骤:通过使用包括电机阵列的阻抗分布测量装置测量阻抗分布,和将测量的阻抗分布转换成EIT图像,其特征在于,重力影响通过测量测试对象的空间方向进行确定,和测量的阻抗分布的值根据所述空间方向进行调整,以消除重力影响。
公开/授权文献
- CN103153180A 用于电阻抗断层成像的传感器装置、电阻抗断层成像装置和电阻抗断层成像方法 公开/授权日:2013-06-12