发明授权
CN102965719B 薄膜金属和合金的低速率电化学蚀刻
失效 - 权利终止
- 专利标题： 薄膜金属和合金的低速率电化学蚀刻
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申请号： CN201210315742.4申请日： 2012-08-30
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公开(公告)号： CN102965719B公开(公告)日： 2016-08-10
- 发明人: J·A·梅迪娜 , T·Y·W·江 , M·江
- 申请人： 西部数据(弗里蒙特)公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 西部数据(弗里蒙特)公司
- 当前专利权人： 西部数据(弗里蒙特)公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 赵蓉民
- 优先权： 13/221,726 2011.08.30 US
- 主分类号： C25F3/02
- IPC分类号： C25F3/02
摘要：
本发明公开薄膜金属和合金的低速率电化学蚀刻。本发明的实施例包括使用净阴极电流或电位进行低速率（湿式）蚀刻的系统和方法。特别地，一些实施例通过在衬底被浸入水系电解质时向衬底施加小的净阴极电流实现小于0.1nm/s的受控蚀刻速率。依赖于实施例，采用的水系电解质可以包括与从衬底蚀刻掉的材料相同类型的阳离子。一些实施例在薄膜金属和合金的蚀刻以及磁头换能器晶片的制造中是有用的。
公开/授权文献
- CN102965719A 薄膜金属和合金的低速率电化学蚀刻 公开/授权日：2013-03-13
