发明授权
- 专利标题： 一种化合物半导体薄膜的自组装生长方法
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申请号： CN201210293415.3申请日： 2012-08-17
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公开(公告)号： CN102842490B公开(公告)日： 2015-11-11
- 发明人: 黄小辉 , 周德保 , 杨东 , 黄炳源 , 康健 , 梁旭东
- 申请人： 圆融光电科技有限公司
- 申请人地址： 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号1栋
- 专利权人： 圆融光电科技有限公司
- 当前专利权人： 圆融光电科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号1栋
- 代理机构： 上海翼胜专利商标事务所
- 代理商 孙佳胤
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
摘要：
本发明提供了一种化合物半导体薄膜自组装生长方法，包括如下步骤：在衬底上预通入金属源反应物，高温下分解形成一金属薄层；退火形成金属岛状颗粒；通入III族和V族反应物，并控制V/III比范围在50～200之间，温度在800～1000℃之间，利用金属岛状颗粒作为生长催化剂，沿金属岛纵向生长纳米柱；提高温度至1050～1100℃之间并增加V/III比至1000～2000之间，使纳米柱顶部的侧向生长加快，形成连续的半导体薄膜。
公开/授权文献
- CN102842490A 一种化合物半导体薄膜的自组装生长方法 公开/授权日：2012-12-26
IPC分类:
