发明授权
- 专利标题: 一种由四氯化硅制备三氯氢硅的冷氢化系统
- 专利标题(英): Cold hydrogenation system for preparing trichlorosilane from silicon tetrachloride
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申请号: CN201210285786.7申请日: 2012-08-10
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公开(公告)号: CN102815711B公开(公告)日: 2014-03-26
- 发明人: 万烨 , 严大洲 , 毋克力 , 肖荣晖 , 汤传斌
- 申请人: 中国恩菲工程技术有限公司 , 洛阳中硅高科技有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区复兴路12号
- 专利权人: 中国恩菲工程技术有限公司,洛阳中硅高科技有限公司
- 当前专利权人: 中国恩菲工程技术有限公司,洛阳中硅高科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区复兴路12号
- 代理机构: 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 宋合成; 黄德海
- 主分类号: C01B33/107
- IPC分类号: C01B33/107
摘要:
本发明公开了一种由四氯化硅制备三氯氢硅的冷氢化系统,所述系统包括供料设备、氢化反应器和尾气处理设备,所述供料设备将反应物料连续输送至所述氢化反应器,所述氢化反应器使反应气体和所述反应物料反应得到三氯氢硅,所述尾气处理设备包括依次连接的气体过滤装置、冷凝装置以及分离塔,所述气体过滤装置内设有陶瓷滤芯,所述冷氢化系统还包括热量回收利用装置。根据本发明实施例的冷氢化系统,由于采用设置有陶瓷滤芯的气体过滤装置,而陶瓷滤芯具有耐高温,耐腐蚀的优良特性,而且材质稳定,因此不会对多晶硅产品质量造成影响;且由于设置有热量回收利用装置,可以在物料运输过程中进行热量回收利用,降低能耗,减少环境污染。
公开/授权文献
- CN102815711A 一种由四氯化硅制备三氯氢硅的冷氢化系统 公开/授权日:2012-12-12