发明授权
- 专利标题: 提升高频谐振腔体Q值的方法
- 专利标题(英): Method for improving Q (Quality) value of high-frequency resonant cavity
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申请号: CN201210255483.0申请日: 2012-07-24
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公开(公告)号: CN102811546B公开(公告)日: 2015-04-29
- 发明人: 纪彬 , 殷治国 , 张天爵 , 刘庚首 , 邢建升 , 李鹏展 , 赵振鲁
- 申请人: 中国原子能科学研究院
- 申请人地址: 北京市房山区275信箱65分箱
- 专利权人: 中国原子能科学研究院
- 当前专利权人: 中国原子能科学研究院
- 当前专利权人地址: 北京市房山区275信箱65分箱
- 主分类号: H05H13/00
- IPC分类号: H05H13/00
摘要:
本发明属于紧凑型回旋加速器的研究领域,具体涉及一种提升紧凑型回旋加速器高频谐振腔体Q值的方法。该方法首先通过有限元积分模拟得到高频谐振腔体的表面电流方向及腔体表面电流密度;然后依照模拟得到的结果对高频腔体内表面进行抛光,抛光的方向按照电流方向进行,并对腔体表面大电流密度区域进行精细处理;最后用无水乙醇清洁抛光后的腔体内表面。本发明通过合理选择高频腔体内表面抛光处理的方向和材质,改善了加工后高频腔体内表面状况,避免了无氧铜腔体内表面附着其他物质,最终使高频腔体Q值得到有效的提升。本发明无需设置复杂的冷却结构,明显降低了系统的复杂性、造价及运行费用。
公开/授权文献
- CN102811546A 提升高频谐振腔体Q值的方法 公开/授权日:2012-12-05