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发明公开
CN102763165A 交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法、写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法，及计算机系统 有权

  • 专利标题： 交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法、写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法，及计算机系统
  • 专利标题（英）： Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems
  • 申请号： CN201180009631.4
    申请日： 2011-01-31
  • 公开(公告)号： CN102763165A
    公开(公告)日： 2012-10-31
  • 发明人: 罗伊·E·米迪
  • 申请人： 美光科技公司
  • 申请人地址： 美国爱达荷州
  • 专利权人： 美光科技公司
  • 当前专利权人： 美光科技公司
  • 当前专利权人地址： 美国爱达荷州
  • 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
  • 代理商 宋献涛
  • 优先权： 12/705,918 2010.02.15 US
  • 国际申请： PCT/US2011/023190 2011.01.31
  • 国际公布： WO2011/100138 EN 2011.08.18
  • 进入国家日期： 2012-08-15
  • 主分类号： G11C11/00
  • IPC分类号： G11C11/00 ;  G11C7/10
交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法、写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法，及计算机系统
摘要：
本发明描述交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法以及写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法。在一个实施例中，交叉点存储器单元包含：字线，其沿第一方向延伸；位线，其沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，所述位线与所述字线在彼此无物理接触的情况下交叉；及电容器，其形成于所述字线与所述位线之间此交叉所在处。所述电容器包括经配置以防止DC电流从所述字线流动到所述位线及从所述位线流动到所述字线的电介质材料。
摘要（英）：

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, and methods of writing to and reading from a memory cell are described. In one embodiment, a cross-point memory cell includes a word line extending in a first direction, a bit line extending in a second direction different from the first direction, the bit line and the word line crossing without physically contacting each other, and a capacitor formed between the word line and the bit line where such cross. The capacitor comprises a dielectric material configured to prevent DC current from flowing from the word line to the bit line and from the bit line to the word line.

公开/授权文献
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