Invention Publication
CN102762525A 半导体气体的制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体气体的制造方法
- Patent Title (English): Method for producing semiconductor gas
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Application No.: CN201180009940.1Application Date: 2011-02-09
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Publication No.: CN102762525APublication Date: 2012-10-31
- Inventor: 高田直门 , 井村英明 , 冈本正宗
- Applicant: 中央硝子株式会社
- Applicant Address: 日本山口县
- Assignee: 中央硝子株式会社
- Current Assignee: 中央硝子株式会社
- Current Assignee Address: 日本山口县
- Agency: 北京林达刘知识产权代理事务所
- Agent 刘新宇; 李茂家
- Priority: 2010-032525 2010.02.17 JP; 2010-143716 2010.06.24 JP
- International Application: PCT/JP2011/052702 2011.02.09
- International Announcement: WO2011/102268 JA 2011.08.25
- Date entered country: 2012-08-17
- Main IPC: C07C17/361
- IPC: C07C17/361 ; C07C19/08 ; C07C51/58 ; C07C53/48 ; C09K13/08 ; C11D7/30 ; H01L21/3065 ; C07B61/00

Abstract:
本发明公开了一种单氟甲烷的制造方法,该方法至少具有:使1-甲氧基-1,1,2,2-四氟乙烷与催化剂接触进行热分解的热分解工序、以及从热分解产物中回收单氟甲烷的工序。通过该方法,可以实用且高效地制造基本上不含氟之外的卤素的单氟甲烷。
Public/Granted literature
- CN102762525B 半导体气体的制造方法 Public/Granted day:2016-05-04
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