发明授权
- 专利标题: 晶体管结构以及驱动电路结构
- 专利标题(英): Transistor structure and driving circuit structure
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申请号: CN201210260765.X申请日: 2012-07-26
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公开(公告)号: CN102760772B公开(公告)日: 2015-04-29
- 发明人: 张居裕 , 赖君伟 , 沈柏元 , 李文荣 , 戴志伟
- 申请人: 友达光电股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路一号
- 专利权人: 友达光电股份有限公司
- 当前专利权人: 友达光电股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路一号
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 郭蔚
- 优先权: 101117988 2012.05.21 TW
- 主分类号: H01L29/786
- IPC分类号: H01L29/786 ; H01L27/12 ; G09G3/36
摘要:
一种晶体管结构,设置在基板上,包括栅极电极、跟栅极电极重叠设置的栅极介电层、跟栅极电极重叠设置的通道层以及跟栅极电极重叠设置的多个第一电极与多个第二电极。栅极介电层设置在通道层与栅极电极之间。栅极介电层位于第一电极、第二电极跟栅极电极之间。第一电极与第二电极沿第一方向交替设置,各第一电极沿第一方向具有第一宽度,各第二电极沿第一方向具有第二宽度,第一宽度与第二宽度的比值介于2至20。具有此晶体管结构的驱动电路结构亦被提出。
公开/授权文献
- CN102760772A 晶体管结构以及驱动电路结构 公开/授权日:2012-10-31
IPC分类: