- 专利标题: 一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板
- 专利标题(英): Amorphous-oxide thin-film transistor, manufacturing method thereof, and display panel
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申请号: CN201110076083.9申请日: 2011-03-28
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公开(公告)号: CN102655165B公开(公告)日: 2015-04-29
- 发明人: 刘晓娣 , 孙力 , 陈海晶
- 申请人: 京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 专利权人: 京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 代理机构: 北京中博世达专利商标代理有限公司
- 代理商 申健
- 主分类号: H01L29/06
- IPC分类号: H01L29/06 ; H01L29/36 ; H01L29/04 ; H01L29/786 ; G02F1/1362 ; G02F1/1368 ; H01L21/336
摘要:
本发明实施例公开了一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板,涉及薄膜晶体管及显示面板的设计和制备领域,用以降低源漏极的寄生电阻。所述非晶氧化物薄膜晶体管,在基板上包括:栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极、漏极以及钝化保护层,并且所述半导体有源层为沟道层和欧姆接触层的双层结构,所述沟道层比所述欧姆接触层的含氧量高;另外,所述沟道层与所述栅绝缘层相贴合,所述欧姆接触层分为两个独立的欧姆接触区,且所述两个独立的欧姆接触区分别与所述源极、漏极相贴合。
公开/授权文献
- CN102655165A 一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板 公开/授权日:2012-09-05
IPC分类: