- 专利标题： 一种后栅极单晶体管动态随机存储器的制备方法
- 专利标题（英）： Preparation method of Gate-last 1TDRAM
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申请号： CN201110250287.X申请日： 2011-08-29
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公开(公告)号： CN102569091B公开(公告)日： 2014-07-23
- 发明人: 黄晓橹 , 颜丙勇 , 陈玉文
- 申请人： 上海华力微电子有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 代理机构： 上海新天专利代理有限公司
- 代理商 王敏杰
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/8242
摘要：
本发明一种后栅极单晶体管动态随机存储器的制备方法解决了现有技术中工艺缺乏可制造性的问题，提出一种更具可制造性设计（DFM，DesignforManufacturability）的绝缘体上硅后栅极晶体管动态随机存储器（SOIGate-last1TDRAM）的制备方法，适用于45nm以下一代的HKMG（高介电常数氧化层+金属栅）后栅（Gate-last）工艺的集成电路制备中。
公开/授权文献
- CN102569091A 一种后栅极单晶体管动态随机存储器的制备方法 公开/授权日：2012-07-11
IPC分类:
