发明授权
CN102544248B 发光二极管晶粒的制作方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 发光二极管晶粒的制作方法
- 专利标题（英）： Manufacturing method for light emitting diode grain
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申请号： CN201010611477.5申请日： 2010-12-29
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公开(公告)号： CN102544248B公开(公告)日： 2015-01-07
- 发明人: 凃博闵 , 黄世晟
- 申请人： 展晶科技(深圳)有限公司 , 荣创能源科技股份有限公司
- 申请人地址： 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号
- 专利权人： 展晶科技(深圳)有限公司,荣创能源科技股份有限公司
- 当前专利权人： 展晶科技(深圳)有限公司,荣创能源科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号
- 代理机构： 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
- 代理商 汪飞亚
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/04 ; H01L33/12
摘要：
一种发光二极管晶粒的制作方法，通过在发光二极管晶粒底部形成一层二氧化硅图案层，在半导体发光结构生长完成之后，利用第一种蚀刻液把二氧化硅图案层去除。此时，在侧向蚀刻的过程中，第二种蚀刻液将进入到发光二极管晶粒的底部并从底部开始蚀刻。该方法可有效加快半导体发光结构形成倒锥状结构的过程，从而提高发光二极管晶粒的出光效率，并有效降低蚀刻过程所需的温度。
公开/授权文献
- CN102544248A 发光二极管晶粒的制作方法 公开/授权日：2012-07-04
IPC分类:
