半导体装置的制造方法及制造装置

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专利标题： 半导体装置的制造方法及制造装置
专利标题（英）： Method of manufacturing semiconductor device, and manufacturing apparatus
申请号： CN201110276346.0

申请日： 2011-09-16
公开(公告)号： CN102543775A

公开(公告)日： 2012-07-04
发明人: 种泰雄 , 片村幸雄 , 芳村淳 , 岩见文宏
申请人： 株式会社东芝
申请人地址： 日本东京都
专利权人： 株式会社东芝
当前专利权人： 东芝存储器株式会社
当前专利权人地址： 日本东京都
代理机构： 北京市中咨律师事务所
代理商 刘薇; 陈海红
优先权： 275988/2010 2010.12.10 JP
主分类号： H01L21/58
IPC分类号： H01L21/58 ; H01L21/50 ; H01L23/31

摘要：

根据实施方式的半导体装置的制造方法，在半导体晶片的芯片区域的第1面形成粘接层。沿着切割区域将半导体芯片单片化，并经由粘接层阶梯状地层叠半导体芯片。在粘接层的形成中，在第1面中的不以层叠的状态与其它半导体芯片接触的第1区域的至少一部分设置粘接层形成为比与其它半导体芯片接触的第2区域厚的凸部。

摘要（英）：

According to one embodiment, a method of manufacturing a semiconductor device, a bonding layer is formed on a first surface of a chip region of a semiconductor wafer. Semiconductor chips are singulated along a dicing region. The semiconductor chips are stacked stepwise via the bonding layer. In formation of the bonding layer of the semiconductor chip, in at least a part of a first region of the first surface not in contact with the other semiconductor chip in a stacked state, a projected section where the bonding layer is formed thicker than the bonding layer in a second region that is in contact with the other semiconductor chip is provided.

公开/授权文献

CN102543775B 半导体装置的制造方法及制造装置公开/授权日：2015-02-04

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50	...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/58	....半导体器件在支架上的安装