Invention Publication
CN102521144A 一种闪存转换层系统
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种闪存转换层系统
- Patent Title (English): Flash translation layer system
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Application No.: CN201110436398.XApplication Date: 2011-12-22
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Publication No.: CN102521144APublication Date: 2012-06-27
- Inventor: 胡事民 , 廖学良
- Applicant: 清华大学
- Applicant Address: 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱
- Assignee: 清华大学
- Current Assignee: 清华大学
- Current Assignee Address: 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱
- Agency: 北京路浩知识产权代理有限公司
- Agent 王莹
- Main IPC: G06F12/02
- IPC: G06F12/02 ; G06F12/06

Abstract:
本发明公开了一种闪存转换层系统,涉及闪存存储领域。所述闪存转换层系统包括:地址转换模块和写操作处理模块;地址转换模块,用于实现逻辑地址到物理地址的转换,并且在所述系统中,物理块包括数据块、日志块和空闲块,逻辑块与数据块一一对应,每个逻辑块最多对应两个日志块,每个日志块对应多个逻辑块;写操作处理模块,用于处理对闪存介质的写操作。所述闪存转换层系统,在垃圾收集频率和垃圾收集过程的数据拷贝量之间实现平衡,降低垃圾收集过程中的擦写次数和数据拷贝量,在保证闪存寿命的同时,提高了闪存的性能。
Public/Granted literature
- CN102521144B 一种闪存转换层系统 Public/Granted day:2015-03-04
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