发明授权
CN102515770B 一种制备纳米SiC增强MoSi2复合材料的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种制备纳米SiC增强MoSi2复合材料的方法
- 专利标题(英): Method for preparing nano SiC reinforced MoSi2 composite material
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申请号: CN201110380699.5申请日: 2011-11-25
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公开(公告)号: CN102515770B公开(公告)日: 2013-12-11
- 发明人: 张小立
- 申请人: 中原工学院
- 申请人地址: 河南省郑州市新郑双湖经济开发区淮河路1号
- 专利权人: 中原工学院
- 当前专利权人: 中原工学院
- 当前专利权人地址: 河南省郑州市新郑双湖经济开发区淮河路1号
- 代理机构: 郑州中原专利事务所有限公司
- 代理商 张绍琳; 孙诗雨
- 主分类号: C04B35/58
- IPC分类号: C04B35/58 ; C04B35/622
摘要:
一种制备纳米SiC增强MoSi2复合材料的方法,该方法使用SiC粉和酚醛树脂高能研磨混合均匀后加入到Mo+C粉中,并进一步混合均匀。然后模压成型后,再进行反应熔渗法烧结,制备得到纳米SiC颗粒增强MoSi2基复合材料。在该方法中由于添加的辅助增强相SiC大大降低了Si+C→SiC,和Mo+Si→MoSi2反应的剧烈程度,从而减小了现有反应熔渗法试验中出现的样品开裂、变形、重复性差等现象,是一种可供工业化规模制备MoSi2基复合材料的方法。
公开/授权文献
- CN102515770A 一种制备纳米SiC增强MoSi2复合材料的方法 公开/授权日:2012-06-27
IPC分类: