发明授权
- 专利标题： 一种金属硅冶炼初次开炉的出硅方法
- 专利标题（英）： Silicon discharging method for initial blowing-in of metal silicon smelting
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申请号： CN201110286594.3申请日： 2011-09-26
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公开(公告)号： CN102502644B公开(公告)日： 2013-08-07
- 发明人: 张安福 , 周昌武 , 毕红兴 , 李宗有 , 李昆 , 卢国洪 , 包崇军 , 王传昌 , 杨明礼 , 王正勇 , 林春用 , 张志远 , 穆荣国 , 董诗锋
- 申请人： 云南永昌硅业股份有限公司
- 申请人地址： 云南省保山市龙陵县龙山镇大坪子村
- 专利权人： 云南永昌硅业股份有限公司
- 当前专利权人： 云南永昌硅业股份有限公司
- 当前专利权人地址： 云南省保山市龙陵县龙山镇大坪子村
- 代理机构： 昆明慧翔专利事务所
- 代理商 程韵波; 周一康
- 主分类号： C01B33/021
- IPC分类号： C01B33/021
摘要：
本发明涉及一种金属硅冶炼初次开炉的出硅方法，用风钻将出硅口钻孔，再用木炭粉填入钻孔，最后用泥球堵住。出硅时，只需将泥球用铁钎清出，然后用石墨碳棒烧穿器对出硅口电弧烧10-20分钟，可将硅熔液通出。由于使用风钻钻开出硅口，使开出的出硅口形状规则，后续生产中，出硅口的开堵容易可靠，出硅口的损坏率有极大降低，使用寿命能延长到100-130炉.次；杜绝吹氧管的使用，降低了金属熔融物飞溅和烟气产生。
公开/授权文献
- CN102502644A 一种金属硅冶炼初次开炉的出硅方法 公开/授权日：2012-06-20
