发明授权
- 专利标题： 半导体激光器装置
- 专利标题（英）： Semiconductor laser apparatus
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申请号： CN201180002463.6申请日： 2011-02-28
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公开(公告)号： CN102474068B公开(公告)日： 2013-09-11
- 发明人: 竹中义彰
- 申请人： 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 汪惠民
- 优先权： 2010-052698 2010.03.10 JP
- 国际申请： PCT/JP2011/001133 2011.02.28
- 国际公布： WO2011/111328 JA 2011.09.15
- 进入国家日期： 2011-12-16
- 主分类号： H01S5/024
- IPC分类号： H01S5/024 ; H01L23/473
摘要：
本发明的半导体激光器装置采用了直接对封装(5)内部的散热器(2)流过冷却介质、并且确保封装(5)内部的气密性的构造。因此，能够抑制半导体激光器元件(1)以及封装(5)内部的温度上升，能够确保半导体激光器装置的可靠性、质量，并且可以搭载更高输出的半导体激光器元件(1)。
公开/授权文献
- CN102474068A 半导体激光器装置 公开/授权日：2012-05-23
