发明授权
- 专利标题: 磁性薄膜的制造方法、磁性薄膜及磁性体
- 专利标题(英): Process for production of magnetic thin film, magnetic thin film, and magnetic material
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申请号: CN201080026856.6申请日: 2010-06-24
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公开(公告)号: CN102473519B公开(公告)日: 2015-02-11
- 发明人: 大越慎一 , 生井飞鸟 , 高见和之 , 富田浩太郎
- 申请人: 国立大学法人东京大学 , 同和电子科技有限公司
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 国立大学法人东京大学,同和电子科技有限公司
- 当前专利权人: 国立大学法人东京大学,同和电子科技有限公司
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 北京市浩天知识产权代理事务所
- 代理商 雒纯丹
- 优先权: 2009-149408 2009.06.24 JP
- 国际申请: PCT/JP2010/060770 2010.06.24
- 国际公布: WO2010/150853 JA 2010.12.29
- 进入国家日期: 2011-12-15
- 主分类号: H01F41/16
- IPC分类号: H01F41/16 ; C01G49/00 ; C09D5/23 ; C09D7/12 ; C09D201/00 ; G11B5/706 ; G11B5/845 ; H01F10/22
摘要:
本发明提供在具有绝缘性的同时,具有永磁体功能,并且与以往相比剩余磁化能够得到提高的磁性薄膜的制造方法、磁性薄膜及磁性体。形成磁性薄膜3时,对于包含含有在具有绝缘性的同时具有永磁体功能ε型氧化铁系化合物的磁性粒子的涂布液,施加规定强度的外部磁场,使该涂布液固化而形成磁性薄膜3,从而可以使含有该ε型氧化铁系化合物的磁性粒子在沿磁化方向规则取向的状态下进行固化,这样一来,就可以提供在具有绝缘性的同时,具有永磁体功能,并且与以往相比剩余磁化能够得到提高的磁性薄膜3的制造方法、磁性薄膜3及磁性体1。
公开/授权文献
- CN102473519A 磁性薄膜的制造方法、磁性薄膜及磁性体 公开/授权日:2012-05-23