Invention Grant
- Patent Title: 功率半导体系统
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Application No.: CN201110344682.4Application Date: 2011-11-04
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Publication No.: CN102456642BPublication Date: 2016-02-17
- Inventor: 彼得·贝克达尔 , 哈特姆特·库拉斯 , 弗兰克·埃伯斯贝格尔
- Applicant: 赛米控电子股份有限公司
- Applicant Address: 德国纽伦堡
- Assignee: 赛米控电子股份有限公司
- Current Assignee: 赛米控电子股份有限公司
- Current Assignee Address: 德国纽伦堡
- Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- Agent 车文; 樊卫民
- Priority: 102010043446.9 2010.11.05 DE
- Main IPC: H01L23/46
- IPC: H01L23/46 ; H01L25/18
Abstract:
本发明涉及一种功率半导体系统以及一种用于制造功率半导体系统的方法。功率半导体系统带有：用于流动的工作介质的管路系统；带有外侧和内侧的壁元件；以及布置在壁元件的外侧上的功率半导体电路，其中，壁元件的内侧形成管路系统的液密和/或气密的壁。根据本发明的改良的功率半导体系统能实现从功率半导体电路到冷却介质上的有效热传递。
Public/Granted literature
- CN102456642A 功率半导体系统 Public/Granted day:2012-05-16
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IPC分类:
