发明公开
CN102440081A 高阻抗迹线
无效 - 撤回
- 专利标题: 高阻抗迹线
- 专利标题(英): High impedance trace
-
申请号: CN200980159181.X申请日: 2009-11-09
-
公开(公告)号: CN102440081A公开(公告)日: 2012-05-02
- 发明人: 张长弘 , P·伦德尔 , 王琳謄 , 林家庆 , 朱立忠 , 张豪仁 , 荘正龙
- 申请人: 索尼爱立信移动通讯有限公司
- 申请人地址: 瑞典隆德
- 专利权人: 索尼爱立信移动通讯有限公司
- 当前专利权人: 索尼爱立信移动通讯有限公司
- 当前专利权人地址: 瑞典隆德
- 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 李辉; 张旭东
- 优先权: 12/437,648 2009.05.08 US
- 国际申请: PCT/EP2009/064851 2009.11.09
- 国际公布: WO2010/127724 EN 2010.11.11
- 进入国家日期: 2011-11-08
- 主分类号: H05K1/02
- IPC分类号: H05K1/02 ; H01P3/08
摘要:
本发明涉及一种微波传导结构(46a,48b)和用于制作该结构的方法。该结构包括:第一导电层(L32),被布置在第一导电层(L32)上的具有第一介电常数的第一电介质衬底(D31),和被布置在电介质衬底(D31)上或在电介质衬底(D31)内的具有第一宽度的至少一个导电迹线(CT1,CT2)。具有比第一宽度宽的第二宽度和比第一介电常数低的第二介电常数的第二电介质衬底(DM1,DM2)的轨被局部地布置在所述第一电介质衬底(D31)和所述导电迹线(CT1,CT2)之间,以沿着所述导电迹线(CT1,CT2)延伸,从而导电迹线(CT1,CT2)以被布置于第二电介质衬底(DM1,DM2)上的方式电操作。