发明授权
CN102436929B 一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法
- 专利标题（英）： High-dielectric low-loss imitation grain boundary layer capacitor and preparation method thereof
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申请号： CN201110216528.9申请日： 2011-07-22
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公开(公告)号： CN102436929B公开(公告)日： 2014-07-16
- 发明人: 王焱 , 孙静 , 靳喜海 , 刘阳桥
- 申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 主分类号： H01G4/008
- IPC分类号： H01G4/008 ; H01G4/06 ; H01G4/12
摘要：
本发明涉及一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法，其特征在于以具有高导电氮化物单元(核)/高介电绝缘层结构(壳)的核壳结构复合粉体代替传统晶界层电容器的材料单元，采用SPS烧结工艺制备高介电、低损耗的仿晶界层电容器。所述的仿晶界层电容器材料包括SrTiO3/TiN、BaTiO3/ZrN、CaTiO3/TiN、MgTiO3/NbN、(Ba，Sr)TiO3/TiN和Pb(Mg1/3Nb2/3)O3/NbN等。本发明的设计理念突破了传统晶界层电容器仅限于SrTiO3和BaTiO3等极个别陶瓷材料这一缺点，将其推广到一系列高介电陶瓷材料，从而可以大大扩展“晶界层电容器”的家族规模。
公开/授权文献
- CN102436929A 一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法 公开/授权日：2012-05-02
