本发明涉及一种预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺，其包括如下步骤：a、提供衬底，并在衬底上形成栅极区、源极区及漏极区；b、用注入机对上述衬底对的表面注入所需的非晶化离子，使得上述衬底表面的硅及多晶硅处于非晶化状态；c、对上述非晶化过的衬底表面淀积高温Ti膜；d、对上述衬底进行低温退火，以使上述Ti膜形成C49相的TiSi2膜；e、去除衬底表面未形成TiSi2膜的Ti膜；f、对上述衬底进行高温退火，以使上述TiSi2膜形成稳定C54相的TiSi2膜。本发明降低硅化钛膜的相转移温度，形成表面光滑的均匀的TiSi2膜；在亚微米/深亚微米电路的制造过程中，缓解Ti-Salicide技术的窄线条效应问题；工艺简单，具有很强的操作性。