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发明公开
CN102388431A 用于从载体中分离晶片的装置和方法 有权

  • 专利标题： 用于从载体中分离晶片的装置和方法
  • 专利标题（英）： Device and method for detaching a wafer from a carrier
  • 申请号： CN201080013539.0
    申请日： 2010-03-16
  • 公开(公告)号： CN102388431A
    公开(公告)日： 2012-03-21
  • 发明人: E·塔尔纳
  • 申请人： EV集团有限责任公司
  • 申请人地址： 奥地利圣弗洛里安
  • 专利权人： EV集团有限责任公司
  • 当前专利权人： EV集团有限责任公司
  • 当前专利权人地址： 奥地利圣弗洛里安
  • 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
  • 代理商 严志军; 杨国治
  • 优先权： 09003874.6 2009.03.18 EP
  • 国际申请： PCT/EP2010/001630 2010.03.16
  • 国际公布： WO2010/105793 DE 2010.09.23
  • 进入国家日期： 2011-09-19
  • 主分类号： H01L21/00
  • IPC分类号： H01L21/00
用于从载体中分离晶片的装置和方法
摘要：
一种用于从通过连接层与晶片相连接的载体中分离晶片的装置，其带有用于接收由载体与晶片构成的载体晶片复合体的接收装置、用于解开载体与晶片之间的通过连接层设置的连接的解开连接器件和用于从载体中分离晶片或者从晶片中分离载体的分离器件，其中，解开连接器件构造成在0至350℃的、尤其10至200℃的、优选地20至80℃的温度范围中、还更优选地在环境温度下工作。此外本发明涉及一种用于从通过连接层与晶片相连接的载体中分离晶片的方法，其带有以下步骤：在接收装置上接收由载体和晶片构成的载体晶片复合体、通过解开连接器件解开载体与晶片之间的通过连接层设置的连接并且通过分离器件从载体中分离晶片或者从晶片中分离载体，其中，解开连接器件在直至350℃的、尤其10至200℃的、优选地20至80℃的温度范围中、还更优选地在环境温度下工作。
摘要（英）：

The invention relates to a device for detaching a wafer from a carrier connected to the wafer by a connecting layer, comprising a receiving unit for receiving a carrier-wafer composite comprising the carrier and the wafer, a connection detaching means for detaching the connection provided by the connecting layer between the carrier and wafer, and detaching means for detaching the wafer from the carrier or for detaching the carrier from the wafer, wherein the connection detaching means is designed for a temperature range of 0 to 350 DEG C, in particular 10 to 200 DEG C, preferably 20 to 80 DEG C, more preferably at an ambient temperature. Furthermore, the invention relates to a method for detaching a wafer from a carrier connected to the wafer by a connecting layer, comprising the following steps: receiving a carrier-wafer composite comprising the carrier and the wafer on a receiving unit; detaching the connection provided by the connecting layer between the carrier and wafer by way of a connection detaching means; and detaching the wafer from the carrier or detaching the carrier from the wafer by detaching means, wherein the connection detaching means works at a temperature range of up to 350 DEG C, in particular 10 to 200 DEG C, preferably 20 to 80 DEG C, more preferably at an ambient temperature.

公开/授权文献
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