发明授权
CN102385412B 一种低电压带隙基准源产生电路
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种低电压带隙基准源产生电路
- 专利标题(英): Low-voltage band-gap reference source generating circuit
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申请号: CN201010269350.X申请日: 2010-09-01
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公开(公告)号: CN102385412B公开(公告)日: 2013-12-18
- 发明人: 汤华莲 , 庄奕琪 , 胡滨 , 赵辉 , 李勇强
- 申请人: 国民技术股份有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市南山区高新技术产业园区深圳软件园3栋301、302
- 专利权人: 国民技术股份有限公司
- 当前专利权人: 国民技术股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市南山区高新技术产业园区深圳软件园3栋301、302
- 代理机构: 北京轻创知识产权代理有限公司
- 代理商 杨立
- 主分类号: G05F3/30
- IPC分类号: G05F3/30
摘要:
本发明涉及一种低电压带隙基准源产生电路,包括启动电路和与其电连接的带隙基准源产生电路,所述带隙基准源产生电路包括运算放大器、偏置电流产生电路和分压电路,所述运算放大器的输出端与偏置电流产生电路电连接,所述运算放大器的正相输入端和负相输入端与分压电路电连接,所述偏置电流产生电路与分压电路电连接,其中所述分压电路由多个电阻和三极管组成,通过分压电路中多个电阻进行分压,从而将部分电压加在三极管发射极上,将材料带隙电压中的一部分电压进行输出,从而产生低电压带隙基准源。与对温度的高阶项进行补偿的基准源产生电路相比,本发明的低电压带隙基准源产生电路结构简单、功耗小,并节省了占用面积。
公开/授权文献
- CN102385412A 一种低电压带隙基准源产生电路 公开/授权日:2012-03-21
IPC分类: