• 专利标题: 一种碳化硅冶炼炉侧墙与地面间的密封
  • 专利标题(英): Seal between silicon carbide smelting furnace side wall and ground
  • 申请号: CN201110202760.7
    申请日: 2011-07-10
  • 公开(公告)号: CN102344139A
    公开(公告)日: 2012-02-08
  • 发明人: 段晓燕
  • 申请人: 段晓燕
  • 申请人地址: 宁夏回族自治区银川市兴庆区凤凰花园A区11#楼2单元201室
  • 专利权人: 段晓燕
  • 当前专利权人: 段晓燕
  • 当前专利权人地址: 宁夏回族自治区银川市兴庆区凤凰花园A区11#楼2单元201室
  • 主分类号: C01B31/36
  • IPC分类号: C01B31/36
一种碳化硅冶炼炉侧墙与地面间的密封
摘要:
本发明提供一种碳化硅冶炼炉侧墙与地面间的密封,解决了现有碳化硅冶炼技术因侧墙与地面间难以密封而不能抽出炉内气体的难点。采用在已公开的不透气侧墙(1)下设置侧墙垫(9),侧墙垫(9)深埋地下且自身致密不透气,侧墙垫(9)上粘附密封膏(8),侧墙(1)、侧墙垫(9)、密封膏(8)共同组成密封,以便于实现侧墙(1)在冶炼炉上组装后侧墙(1)与地面间的密封。本发明制作简单,用于密封侧墙与地面间的缝隙,抽出碳化硅冶炼炉内气体具有操作简便易行,成本低廉,安全可靠的优点。
0/0