发明授权
- 专利标题： 制备纳米结构化表面的方法
- 专利标题（英）： Method for making nanostructured surfaces
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申请号： CN200980157342.1申请日： 2009-12-29
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公开(公告)号： CN102325718B公开(公告)日： 2013-12-18
- 发明人: 莫塞斯·M·大卫 , 余大华
- 申请人： 3M创新有限公司
- 申请人地址： 美国明尼苏达州
- 专利权人： 3M创新有限公司
- 当前专利权人： 3M创新有限公司
- 当前专利权人地址： 美国明尼苏达州
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 张爽; 樊卫民
- 优先权： 61/141,531 2008.12.30 US
- 国际申请： PCT/US2009/069662 2009.12.29
- 国际公布： WO2010/078306 EN 2010.07.08
- 进入国家日期： 2011-08-22
- 主分类号： B82B3/00
- IPC分类号： B82B3/00
摘要：
本发明公开了一种制备纳米结构化表面的连续方法，包括：(a)在真空容器中，将包括纳米级掩模的基底放置在圆柱形电极上；(b)在预定的压力下向所述容器中引入蚀刻气体；(c)在所述圆柱形电极和反电极之间产生等离子体；(d)旋转所述圆柱形电极，从而平移所述基底；以及(e)各向异性地蚀刻所述基底的表面，以在所述表面上提供各向异性纳米级特征。
公开/授权文献
- CN102325718A 制备纳米结构化表面的方法 公开/授权日：2012-01-18
