发明授权
- 专利标题: 离子注入装置及束电流密度分布的调整方法
- 专利标题(英): Ion implantation device and adjustment method of beam current density distribution
-
申请号: CN201010528640.1申请日: 2010-11-01
-
公开(公告)号: CN102237245B公开(公告)日: 2014-01-08
- 发明人: 中尾和浩
- 申请人: 日新离子机器株式会社
- 申请人地址: 日本京都市
- 专利权人: 日新离子机器株式会社
- 当前专利权人: 神商精密器材(扬州)有限公司
- 当前专利权人地址: 日本京都市
- 代理机构: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
- 代理商 李雪春; 武玉琴
- 优先权: 2010-103202 2010.04.28 JP
- 主分类号: H01J37/317
- IPC分类号: H01J37/317 ; H01J37/304
摘要:
本发明提供离子注入装置及束电流密度分布的调整方法。在使m个(m为2以上的整数)带状离子束在玻璃基板上的照射区域至少部分重叠,在玻璃基板上实现规定的注入量分布的离子注入装置中,能高效地调整各带状离子束的束电流密度分布。对各带状离子束设定作为束电流密度分布的调整目标的目标分布,按照预先决定的顺序,调整第一个至第m-1个带状离子束的束电流密度分布,使得其相对于目标分布进入第一容许范围内。其后,根据将各带状离子束的调整结果合计得到的分布与将对m个离子束设定的目标分布合计得到的分布的差,设定用于调整第m个束电流密度分布的新的目标分布,调整第m个束电流密度分布,使得其相对于新的目标分布进入第二容许范围内。
公开/授权文献
- CN102237245A 离子注入装置及束电流密度分布的调整方法 公开/授权日:2011-11-09