发明公开
- 专利标题: 纳米级颗粒模拟基片再加工方法
- 专利标题(英): Nanoscale particle simulation substrate reprocessing method
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申请号: CN201110134655.4申请日: 2011-05-23
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公开(公告)号: CN102231364A公开(公告)日: 2011-11-02
- 发明人: 纪登峰 , 赵波
- 申请人: 上海宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- 专利权人: 上海宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号: H01L21/306
- IPC分类号: H01L21/306 ; B24B37/00
摘要:
一种纳米级颗粒模拟基片再加工方法,包括:提供颗粒模拟基片,所述颗粒模拟基片包括:衬底,位于衬底表面的热氧化层,所述热氧化层具有测试表面;沿所述测试表面对所述热氧化层进行化学机械抛光,使得抛光后的所述测试表面的颗粒数量小于100。本发明的基片再加工方法节约生产成本。
公开/授权文献
- CN102231364B 纳米级颗粒模拟基片再加工方法 公开/授权日:2016-02-03
IPC分类: