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发明公开
CN102214506A 一种制备氧化硅@硅酸锌@氧化硅三层同轴纳米电缆的方法 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 一种制备氧化硅@硅酸锌@氧化硅三层同轴纳米电缆的方法
  • 专利标题（英）： Method for preparing silicon oxide@zinc silicate@silicon oxide three-layer coaxial nano cable
  • 申请号： CN201110057921.8
    申请日： 2011-03-11
  • 公开(公告)号： CN102214506A
    公开(公告)日： 2011-10-12
  • 发明人: 董相廷 , 徐淑芝 , 盖广清 , 王进贤 , 刘桂霞
  • 申请人： 长春理工大学
  • 申请人地址： 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号
  • 专利权人： 长春理工大学
  • 当前专利权人： 长春理工大学
  • 当前专利权人地址： 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号
  • 主分类号： H01B13/016
  • IPC分类号： H01B13/016
一种制备氧化硅@硅酸锌@氧化硅三层同轴纳米电缆的方法
摘要：
本发明涉及一种制备氧化硅@硅酸锌@氧化硅三层同轴纳米电缆的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明包括三个步骤：(1)配制纺丝液。将PVP和正硅酸乙酯TEOS加入到无水乙醇和氯仿的混合溶剂中，形成芯层和壳层纺丝液；将PVP和六水硝酸锌Zn(NO3)2·6H2O加入到N，N-二甲基甲酰胺和甘油C3H8O3的混合溶剂中，形成中间层纺丝液。(2)制备[TEOS+PVP]@[Zn(NO3)2+PVP+C3H8O3]@[TEOS+PVP]前驱体复合同轴电缆。采用同轴静电纺丝技术，使用三层同轴喷丝头，电压为12kV，固化距离为15cm，室温15℃-18℃，相对湿度为45％-50％。(3)制备SiO2@Zn2SiO4@SiO2三层同轴纳米电缆。将前驱体复合同轴电缆进行热处理，升温速率为1℃/min，在900℃保温8h，然后以1℃/min的速度降至200℃后自然冷却至室温，得到SiO2(芯层)@Zn2SiO4(中间层)@SiO2(壳层)三层同轴纳米电缆，直径为600nm-700nm，长度＞100μm。
摘要（英）：

The invention relates to a method for preparing a silicon oxide@zinc silicate@silicon oxide three-layer coaxial nano cable, and belongs to the technical field of nano material preparation. The method comprises the following three steps of: (1) preparing spinning solution, namely adding polyvinylpyrrolidone (PVP) and tetraethoxysilane (TEOS) into a mixed solvent of absolute ethanol and chloroform to form core layer and shell layer spinning solution, and adding PVP and zinc nitrate hexahydrate Zn(NO3)2.6H2O into a mixed solvent of N,N-dimethylformamide and glycerin C3H8O3 to form intermediate layer spinning solution; (2) preparing a [TEOS+PVP]@[Zn(NO3)2+PVP+C3H8O3]@[TEOS+PVP] precursor composite coaxial cable by using a coaxial electrostatic spinning technology and a three-layer coaxial spinneret under the conditions that voltage is 12kV, the curing distance is 15cm, the room temperature is between 15 and 18 DEG C, and relative humidity is 45 to 50 percent; and (3) preparing the SiO2@Zn2SiO4@SiO2 three-layer coaxial nano cable, namely performing heat treatment on the precursor composite coaxial cable, raising the temperature at a rate of 1 DEG C/min, preserving heat at the temperature of 900 DEG C for 8 hours, reducing the temperature to 200 DEG C at a rate of 1 DEG C/min, and naturally cooling to room temperature so as to obtain the SiO2(core layer)@Zn2SiO4(intermediate layer)@SiO2(shell layer) three-layer coaxial nano cable with the diameter of 600 to 700nm and the length of more than 100mu m.

公开/授权文献
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